SJT 11053-1996 电子元器件详细规范 3DG182型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)
|
ID： |
763293FF6A89423BA360EF5D52E8A62D |
|
文件大小(MB)： |
0.67 |
|
页数： |
11 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-28 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国国家标准,电子元器件详细规范,3DG182 型,高频放大环境额定双极型晶体管,Detail specification for electronic component,Bipolar transistor for ambient-rated,high-frequency amplification of type 3DG182,（可供认证用）,GB 10272—88,降为 SJ/T 11053-96,本标准规定了 3DG182型高频放大环境额定双极型晶体管的详细要求,本标准适用于3DG182型高频放大环境额定双极型晶体管,本标准是按GB 6217《高低频放大环境额定双极型晶体管空白详细规范》制订的,符合GB 4936.1,（半导体分立器件总规范） !类的要求,中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所〇,ヽ,a ノ E,中华人艮共和国电子工业部1988-04-22批准1989T8I。1 实施,1,GB 10272-88,标,家,■,■,■,局,评定器件质■的根据,4936.1（半导体分立器件总规范＞ GB 10272—88,3DG182型详细规范,订货资料:见本规范第7章,1机械说明,外形标准:GB 7581《半导体分立器件外形尺寸》中代号A3-Q2B,外形图及引出端识别:,2簡片说明,高频放大用环境额定双极型晶体管,半导体材料:N型硅,封 装,金属（空腔）,应用,电子线路中作高频放大,3质?评定类刷,类,参考数据,Ps*S37OQmW ( T*.b=251C ),fc-300mA,fT>50MHz,Vceo>100V (3DG182A ),Vc?o>150V ( 3DG182B ),Vc?>>200V ( 3DG182C ),Vcbo>250V ( 3DG182D ),标志:见本规范第6章,按本详细规范鉴定合格的器件,其制造厂的有关资料,见合格产品ー览表.,2,GB 10272—88,0,4极!?值（绝对丒大额定值）,除非另有规定. Tamb=25七,条文号名称符 号,数框,4*1 环境温度T,4.2 贮存温度Tstt,4.3 最大集电极一基极直流电压VcBO,4.4,4.5,472,5电特性,3DG182A,3DG182B,3DG182C,3DG182D,最大集电极ー发射极直流电压,3DG182A,3DG182B,3DG182C,3DG182D,最大发射极一基极直流电压,最大集电极直流电流,耗散功率,最高有效（等效的）结温,耗散功率的绝对极限值,检验要求见本规范第8章,条文号,i" i i ?,特性和条件,除非另有规定, T?b-25
……